核心型號與參數

產品核心優勢

1. 寬量程覆蓋

   單臺設備即可覆蓋從 50nm 薄膜到 100μm 厚膜的測量需求，適配 SiO?、光刻膠、金屬膜、鈍化層等多種半導體膜層，無需更換設備即可完成多工藝環節的檢測。

2. 高精度與高分辨率

   重復再現性達 3σ<1.0nm（1μm SiO?膜），空間分辨率最高支持 5μm 級，可捕捉晶圓表面微小膜厚偏差，同時支持 50μm 局部高分辨率掃描，滿足關鍵區域工藝驗證需求。

3. 高效全域掃描

   支持 4~12 英寸晶圓（可選規格），單晶圓約 400 萬點全域掃描可在 10 分鐘內完成，兼顧效率與數據密度，可快速生成膜厚分布熱力圖，直觀呈現晶圓整體均勻性。

4. 靈活配置與自動化擴展

   可選配 CtoC 傳送機構，實現晶圓自動化上下料，適配產線在線檢測場景；同時支持手動與自動雙模式，兼顧實驗室研發與量產質量管控需求。

典型應用場景

• 半導體晶圓制造：SiO?、SiN、光刻膠、金屬層等膜厚均勻性檢測；

• 先進封裝工藝：TSV、RDL 等結構的膜層厚度分布測量；

• 光學涂層與鍍膜：光學元件薄膜厚度均勻性驗證；

• 材料研發與工藝優化：寬范圍膜層工藝的參數調試與質量評估。